基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸：6吋及以下；

2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al、W、Mo和金屬氧化物薄膜等；

3、離子束入射角：0~90°之間任意調(diào)整；

4、Ar+離子能量范圍：100~1000eV，連續(xù)可調(diào)；

5、離子束流密度：0~1.0mA/cm2，連續(xù)可調(diào)

6、有效離子束直徑：≥Φ150mm；

7、刻蝕速率：0.02~1.0μm/min；

8、中和裝置：帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置；

9、操作方式：工藝過程全自動控制；

10、系統(tǒng)總控：人機(jī)界面及觸摸屏控制程序；

11、電 源：220VAC/50Hz，10KW；

12、機(jī)器重量：700kg；

13、機(jī)器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm。

電源及刻蝕反應(yīng)室

1、電源：直流電源。

2、反應(yīng)室：上蓋啟閉，操作方便，單室；

3、反應(yīng)室規(guī)格：Φ400′300mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；

5、抽氣時(shí)間：系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時(shí)暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時(shí)間≤ 30min。

真空測量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計(jì)：數(shù)顯復(fù)合真空計(jì) 1套，測量低真空和高真空；

2、供氣：Ar氣體，進(jìn)氣壓力0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪。

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；

2、保護(hù)系統(tǒng)：對泵、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。